随着消费者对电子产品耐用性和性能的期望日益增长，市场上对元器件的选择标准也在不断提高。在众多关键组件中，NAND Flash因其在数据存储和处理速度上的核心作用，成为了厂商们尤为重视的焦点。在这一背景下，NAND Flash不仅需要满足基本的存储需求，更要在性能、可靠性以及耐用性上达到"超越期望"的标准。

近日，在ELEXCON2024深圳国际电子展上，江波龙首次提出了PTM（存储产品技术制造）商业模式。该模式的核心在于整合公司的自研存储芯片、固件、硬件和先进封测制造技术，实现更灵活、更高效的全栈式定制化服务和一站式交付。

同时，江波龙还正式公布了自研的2xnm SLC NAND Flash系列产品，以创新技术满足市场对高性能、高可靠性的闪存需求，为PTM商业模式下的自研存储芯片注入了新动力。

全新制程工艺 业界领先性能

新一代的FORESEE SLC NAND Flash在技术层面实现了重大突破。产品采用2xnm工艺，不仅实现了业界领先的166MHz工作频率，而且在电路设计上进行了创新，有效降低了噪声干扰，实现数据的快速读写。在性能及容量不断提升的同时，各应用场景对于可靠性和微型化的要求并未降低。工程师团队针对不同SoC方案，通过高精度电路和改进的读写算法，集成了具有更强纠错能力的片上ECC引擎。在保持小尺寸的基础上，FORESEE SLC NAND Flash具备更卓越的数据保持能力和擦写耐用性。

经过江波龙全面的测试流程验证，该产品能够满足10万次擦写性能和10年数据保持时间的严苛要求。

*以上性能指标均来源于江波龙内部测试

自研Flash芯片 探索多元选择

FORESEE 2xnm SLC NAND Flash系列提供SPI(x1/x2/x4)和PPI(x8)两种主流接口选项，并提供2Gb、4Gb和8Gb等多种容量选择，支持